[发明专利]一种薄膜晶体管器件阵列基板结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管器件阵列基板结构，包括：透明绝缘衬底；一组连续的栅线；一组断续的数据线，在与栅线交汇处断开；断续的数据线的两端有暴露源漏金属薄膜的过孔，连接数据线的导电薄膜通过过孔将断续的数据线连接起来；薄膜晶体管完全形成在靠近数据线的栅线上方，其漏电极通过其上方的过孔直接与像素电极相连，源电极的过孔正好位于连接数据线的导电薄膜的下方，连接数据线的导电薄膜通过源电极过孔同时实现源电极和数据线的连接。本发明同时公开了用2次光刻工艺制造该阵列基板的方法。此方法减少掩膜版和光刻工艺次数，简化TFT－LCD制造工艺到2－Mask流程。

主权项

1、一种薄膜晶体管器件阵列基板结构，其特征在于，包括：透明绝缘衬底；一组连续的栅线；栅线上部覆盖有栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜和钝化保护膜；一组断续的数据线，由与TFT源漏电极相同的金属薄膜构成，在与栅线交汇处断开；数据线下方保留有栅金属薄膜、栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，数据线上方覆盖有钝化保护膜；断续的数据线的两端有暴露源漏金属薄膜的过孔，连接数据线的导电薄膜通过过孔将断续的数据线连接起来；薄膜晶体管完全形成在靠近数据线的栅线上方，其欧姆接触层形成在栅线上的本征半导体薄膜上方，源漏电极完全形成在欧姆接触层的上方，且源漏电极上方覆盖有钝化保护膜并在钝化保护膜上形成有相应的过孔；其中漏电极通过其上方的过孔直接与像素电极相连；源电极的过孔正好位于连接数据线的导电薄膜的下方，连接数据线的导电薄膜通过源电极过孔同时实现源电极和数据线的连接。