[发明专利]一种薄膜晶体管器件阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1、一种薄膜晶体管器件阵列基板结构，其特征在于，包括：

透明绝缘衬底；

一组连续的栅线；栅线上部覆盖有栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜和钝化保护膜；

一组断续的数据线，由与TFT源漏电极相同的金属薄膜构成，在与栅线交汇处断开；

数据线下方保留有栅金属薄膜、栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，数据线上方覆盖有钝化保护膜；

断续的数据线的两端有暴露源漏金属薄膜的过孔，连接数据线的导电薄膜通过过孔将断续的数据线连接起来；

薄膜晶体管完全形成在靠近数据线的栅线上方，其欧姆接触层形成在栅线上的本征半导体薄膜上方，源漏电极完全形成在欧姆接触层的上方，且源漏电极上方覆盖有钝化保护膜并在钝化保护膜上形成有相应的过孔；其中漏电极通过其上方的过孔直接与像素电极相连；源电极的过孔正好位于连接数据线的导电薄膜的下方，连接数据线的导电薄膜通过源电极过孔同时实现源电极和数据线的连接。

2、根据权利要求1所述的阵列基板结构，其特征在于：所述像素电极、连接数据线的导电薄膜、及连接数据线和源电极的导电薄膜材料相同。

3、一种薄膜晶体管器件阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

在透明绝缘衬底上依次、连续沉积栅金属薄膜、栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜；

使用第一个灰色调掩膜版在源漏金属薄膜上定义形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和无光刻胶区域；

依次、连续进行源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜、本征半导体薄膜、栅极绝缘薄膜和栅金属薄膜的腐蚀，形成数据线；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，保留部分光刻胶完全保留区域的光刻胶，进行源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜的腐蚀，形成栅线和源电极、漏电极以及TFT器件；

沉积钝化保护膜，使用第二个灰色调掩膜版在钝化保护膜定义形成上光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和无光刻胶区域；

进行钝化保护膜过孔腐蚀，形成源电极上的过孔、漏电极上的过孔和数据线两端的过孔；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，保留部分光刻胶完全保留区域的光刻胶，然后在衬底上沉积一层透明导电薄膜；

去除剩余的光刻胶及其上的导电薄膜，保留连接数据线的导电薄膜，连接数据线和源电极的导电薄膜和像素电极区域的导电薄膜。

4、根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述使用第一个灰色调掩膜版在源漏金属薄膜上定义形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和无光刻胶区域时，使光刻胶完全保留区域对应形成数据线区域、形成源电极区域和形成漏电极区域；光刻胶部分保留区域对应形成TFT沟道区域和形成栅线区域；其它部分为无光刻胶区域。

5、根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述使用第二个灰色调掩膜版在钝化保护膜上定义形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和无光刻胶区域时，使光刻胶部分保留区域对应连接数据线部分、连接数据线和源电极部分、像素电极区域、及像素电极与漏电极连接区域；无光刻胶区域对应数据线两端的过孔、源电极上部的过孔和漏电极上部的过孔；其它部分为光刻胶完全保留区域。

6、根据权利要求3至5任一所述的制造方法，其特征在于：所述连续沉积栅金属薄膜、栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜是在不同设备中实现的，其中栅金属薄膜和源漏金属薄膜通过溅射沉积得到，栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜和掺杂半导体薄膜通过化学汽相沉积得到。

7、根据权利要求3至5任一所述的制造方法，其特征在于：所述连续进行源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜、本征半导体薄膜、栅极绝缘薄膜和栅金属薄膜的腐蚀是在不同设备中实现，其中栅金属薄膜和源漏金属薄膜通过湿法腐蚀，栅极绝缘薄膜、本征半导体薄膜和掺杂半导体薄膜通过干法腐蚀完成。

8、根据权利要求3至5任一所述的制造方法，其特征在于：所述连续进行源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜、本征半导体薄膜、栅极绝缘薄膜和栅金属薄膜的腐蚀是在同一设备中通过改变腐蚀气体和腐蚀条件，对各层膜进行干法腐蚀实现。