[发明专利]化学机械抛光的方法有效
| 申请号： | 200610081862.7 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101073878A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李志岳;杨凯钧;庄子仪;陈建勋;叶敏豪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;H01L21/304;C09G1/02;C09G1/04;C09G1/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种化学机械抛光的方法，包括先以第一硬抛光垫对晶片进行第一抛光工艺，并使用第一研浆。接着，以第一软抛光垫与清洗剂对晶片进行缓冲工艺，以缓冲第一抛光工艺的pH值，并通过与第一软抛光垫的接触去除至少部分的第一研浆与清洗剂。然后，以第二硬抛光垫对晶片进行第二抛光工艺，并使用第二研浆。于缓冲工艺后的pH值介于第一研浆的pH值与第二研浆的pH值之间。此方法可以避免酸碱冲击以及交叉污染的产生，故不会形成颗粒刮伤晶片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光的方法，包括：以第一硬抛光垫对晶片进行第一抛光工艺，该第一抛光工艺使用第一研浆；以第一软抛光垫与清洗剂对该晶片进行缓冲工艺，以缓冲该第一抛光工艺的pH值，并通过与该第一软抛光垫的接触去除至少部分的该第一研浆与该清洗剂；以及以第二硬抛光垫对该晶片进行第二抛光工艺，该第二抛光工艺使用第二研浆，且该缓冲工艺后的pH值介于该第一研浆的pH值与该第二研浆的pH值之间。
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