[发明专利]化学机械抛光的方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光的方法，包括：

以第一硬抛光垫对晶片进行第一抛光工艺，该第一抛光工艺使用第一研浆；

以第一软抛光垫与清洗剂对该晶片进行缓冲工艺，以缓冲该第一抛光工艺的pH值，并通过与该第一软抛光垫的接触去除至少部分的该第一研浆与该清洗剂；以及

以第二硬抛光垫对该晶片进行第二抛光工艺，该第二抛光工艺使用第二研浆，且该缓冲工艺后的pH值介于该第一研浆的pH值与该第二研浆的pH值之间。

2.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其中该第一软抛光垫的材料包括Polytex。

3.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其中于该缓冲工艺的步骤中，该第一软抛光垫的下压力是介于0.1至5psi之间，工艺时间是介于1至100秒之间。

4.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，于该第二抛光工艺之后，还包括以第二软抛光垫清洗该晶片。

5.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其中该第一研浆包括具抛光作用的成分。

6.如权利要求5所述的化学机械抛光的方法，其中该具抛光作用的成分包括氧化铝、氧化硅或氧化铈。

7.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其中该第二研浆包括具抛光作用的成分。

8.如权利要求7所述的化学机械抛光的方法，其中该具抛光作用的成分包括氧化铝、氧化硅或氧化铈。

9.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其中该缓冲工艺使用加压方式注入该清洗剂。

10.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其中该第一研浆的pH值小于7。

11.如权利要求10所述的化学机械抛光的方法，其中该第二研浆的pH值大于7。

12.如权利要求10所述的化学机械抛光的方法，其中该清洗剂为去离子水。

13.如权利要求10所述的化学机械抛光的方法，其中该清洗剂为pH值大于7的化学物质。

14.如权利要求10所述的化学机械抛光的方法，其中该清洗剂为含有氢氧化钾或氨的去离子水或水。

15.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法，其中该第一研浆的pH值大于7。

16.如权利要求15所述的化学机械抛光的方法，其中该第二研浆的pH值小于7。

17.如权利要求15所述的化学机械抛光的方法，其中该清洗剂为去离子水。

18.如权利要求15所述的化学机械抛光的方法，其中该清洗剂包括含有二氧化碳、柠檬酸或草酸的去离子水或水。

19.如权利要求15所述的化学机械抛光的方法，其中该清洗剂为pH值介于6到7之间的化学物质。

20.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法是浅沟槽隔离结构的化学机械抛光工艺。

21.如权利要求20所述的化学机械抛光的方法，于该缓冲工艺中，氧化物移除量小于200埃或等于零。

22.如权利要求1所述的化学机械抛光的方法是铜化学机械抛光工艺。

23.一种化学机械抛光的方法，包括：

于晶片上提供材料层，该材料层具有第一表面；

进行第一抛光工艺，移除部分该材料层以暴露该材料层的第二表面，其中该第一抛光工艺使用第一研浆；

进行缓冲工艺，以清洗剂清洗该第二表面，用以缓冲该第一抛光工艺的pH值，并移除至少部分该第一研浆与该清洗剂；以及

进行第二抛光工艺，以第二研浆移除部分该材料层以暴露该材料层的第三表面，且于该缓冲工艺后的pH值介于该第一研浆的pH值与该第二研浆的pH值之间。

24.如权利要求23所述的化学机械抛光的方法，其中该缓冲工艺的工艺时间介于1至100秒之间。

25.如权利要求23所述的化学机械抛光的方法，其中该第一研浆包括具抛光作用的成分。