[发明专利]图像感测元件及其制作方法有效
申请号: | 200610077350.3 | 申请日: | 2006-04-29 |
公开(公告)号: | CN101064327A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 施俊吉 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种图像感测元件,包括半导体基底、感光区位于半导体基底中、栅电极位于该感光区的一侧的半导体基底上、图案化介电层覆盖该栅电极以及该感光区,并暴露部分该栅电极,以及间隙壁,位于图案化介电层上并围绕栅电极。 | ||
搜索关键词: | 图像 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像感测元件,包括:半导体基底;感光区,位于该半导体基底中;栅电极,位于该感光区的一侧的该半导体基底上;图案化介电层,覆盖该栅电极以及该感光区,并暴露部分该栅电极;以及间隙壁,位于该图案化介电层上并围绕该栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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