[发明专利]图像感测元件及其制作方法

权利要求书

1.一种图像感测元件，包括：

半导体基底；

感光区和非感光区，位于该半导体基底中；

栅电极，位于该感光区的一侧的该半导体基底上且位于该感光区和该非感光区之间；

图案化介电层，覆盖该栅电极以及该感光区，并暴露部分该栅电极；以及

间隙壁，位于该图案化介电层上并围绕该栅电极；

第二抗反射层，位于该图案化介电层、该栅电极和该半导体基底上方。

2.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该图案化介电层包括第一抗反射层和缓冲层。

3.如权利要求2所述的图像感测元件，其中该图案化介电层是自对准金属硅化物阻挡层。

4.如权利要求2所述的图像感测元件，其中该第一、二抗反射层的反射系数介于氧化硅的反射系数和硅的反射系数之间。

5.如权利要求4所述的图像感测元件，其中该第一、二抗反射层的材料选自于氮化硅、氮氧化硅、氧化铈、氧化钛、氧化钽、氧化锆、富硅氧化硅其中之一以及其组合。

6.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该图像感测元件是互补式金属氧化物半导体图像感测元件。

7.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该感光区包括光电二极管。

8.一种图像感测元件制作方法，包括：

提供半导体基底；

于该半导体基底中形成感光区和非感光区；

于该感光区的一侧的该半导体基底上于该感光区和非感光区之间形成栅电极；

于该半导体基底上形成介电层，并覆盖于该栅电极以及该感光区表面；

于该栅电极周围的该介电层上形成间隙壁；

进行漏极/源极离子注入工艺，以于该栅电极一侧的该半导体基底中形成掺杂区，该掺杂区与该感光区分别位于该栅电极的两侧；

该掺杂区形成后，对该介电层进行蚀刻工艺，以形成自对准金属硅化物阻挡层，位于该栅电极上方和该感光区上方；

进行自对准金属硅化物工艺，于未被该自对准金属硅化物阻挡层覆盖的该栅电极上方，以及该掺杂区上方形成多个金属硅化物；

形成第二抗反射层于该栅电极、该自对准金属硅化物阻挡层和该半导体基底上；

于该第二抗反射层上形成内层介电层；以及

于该内层介电层内进行接触孔蚀刻工艺，以形成多个接触孔。

9.如权利要求8所述的制作方法，其中该介电层包括第一抗反射层和缓冲层。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中形成该间隙壁的步骤还包括：

于该第一抗反射层之上形成遮蔽层；以及

去除部分该遮蔽层，以形成该间隙壁位于该栅电极周围。

11.如权利要求9所述的制作方法，其中该第二抗反射层是接触孔蚀刻停止层。

12.如权利要求11所述的制作方法，其中该第一、二抗反射层的反射系数介于氧化硅的反射系数和硅的反射系数之间。

13.如权利要求12所述的制作方法，其中该第一、二抗反射层的材料选自于氮化硅、氮氧化硅、氧化铈、氧化钛、氧化钽、氧化锆、富硅氧化硅其中之一以及其组合。

14.如权利要求8所述的制作方法，其中该图像感测元件是互补式金属氧化物半导体图像感测元件。

15.如权利要求8所述的制作方法，其中该感光区形成光电二极管。