[发明专利]图像感测元件及其制造方法无效
申请号: | 200610077069.X | 申请日: | 2006-04-26 |
公开(公告)号: | CN101064326A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 王铭义 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种图像感测元件,包括具有光感测区与晶体管区的基底、光电二极管、晶体管、介电层、金属内连线、金属导线、共形保护层、滤色层、透镜平坦层以及微透镜。光电二极管配置于光感测区的基底中、晶体管配置于晶体管区的基底上、介电层配置于基底上。金属内连线和金属导线则分别位于光感测区以外的介电层中和介电层上。共形保护层则是配置于介电层上并覆盖金属导线。滤色层配置于光感测区中的共形保护层上,且滤色层的底部低于金属导线的顶部。而透镜平坦层与微透镜则依序配置于上述结构上。 | ||
搜索关键词: | 图像 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像感测元件,包括:基底,具有光感测区与晶体管区;光电二极管,配置于该光感测区的该基底中;晶体管,配置于该晶体管区的该基底上,且该晶体管与该光电二极管电连接;介电层,配置于该基底上,覆盖该晶体管与该光电二极管;金属内连线,位于该光感测区以外的该介电层中;金属导线,配置于该光感测区以外的该介电层上;共形保护层,配置于该介电层上并覆盖该金属导线;滤色层,配置于该光感测区中的该共形保护层上,且该滤色层的底部低于该金属导线的顶部;透镜平坦层,配置于该滤色层与该共形保护层上;以及微透镜,配置于该光感测区中的该透镜平坦层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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