[发明专利]图像感测元件及其制造方法

权利要求书

1.一种图像感测元件，包括：

基底，具有光感测区与晶体管区；

光电二极管，配置于该光感测区的该基底中；

晶体管，配置于该晶体管区的该基底上，且该晶体管与该光电二极管电连接；

介电层，配置于该基底上，覆盖该晶体管与该光电二极管；

金属内连线，位于该光感测区以外的该介电层中；

金属导线，配置于该光感测区以外的该介电层上；

共形保护层，配置于该介电层上并覆盖该金属导线；

滤色层，配置于该光感测区中的该共形保护层上，且该滤色层的底部低于该金属导线的顶部；

透镜平坦层，配置于该滤色层与该共形保护层上；以及

微透镜，配置于该光感测区中的该透镜平坦层上。

2.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该共形保护层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及其组成的叠层其中之一。

3.如权利要求1所述的图像感测元件，其中部分该滤色层与部分该金属导线重叠。

4.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该金属导线的底部高于该滤色层的底部。

5.如权利要求1所述的图像感测元件，还包括抗反射层，位于该基底与该介电层之间。

6.如权利要求5所述的图像感测元件，其中该抗反射层的材料包括氮化硅材料。

7.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该晶体管包括：

栅介电层，位于该基底上；

栅导体层，位于该栅介电层上；以及

源极与漏极区，位于该栅导体层两侧的该基底中。

8.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该介电层包括由以四乙基正硅酸盐为反应气体源形成的磷硅玻璃层、未掺杂硅玻璃层、以四乙基正硅酸盐为反应气体源形成的材料层、以高密度等离子体法形成的材料层组成的一种组合叠层。

9.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该金属导线的材料包括铝、铜或钨。

10.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该透镜平坦层的材料包括透明的高分子聚合材料。

11.如权利要求1所述的图像感测元件，其中该微透镜的材料包括高透光性的光致抗蚀剂材料。

12.一种图像感测元件的制造方法，包括：

于基底的光感测区中形成光电二极管；

于该基底的晶体管区上形成电连接该光电二极管的晶体管；

于该基底上形成内连线结构，该内连线结构是由介电层以及多层金属内连线所构成，其中该些金属内连线位于该光感测区以外的该介电层中；

于该介电层上形成金属材料层；

图案化该金属材料层，以于该光感测区以外形成金属导线以及于该光感测区中形成开口；

于该介电层上形成共形保护层，覆盖该金属导线；

于该开口中填满滤色层；

于该滤色层与该共形保护层上形成透镜平坦层；以及

于该光感测区中的该透镜平坦层上形成微透镜。

13.如权利要求12所述的图像感测元件的制造方法，其中图案化该金属材料层的方法还包括移除该光感测区中的部分该介电层。

14.如权利要求12所述的图像感测元件的制造方法，其中该共形保护层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层及其组成的叠层其中之一。

15.如权利要求12所述的图像感测元件的制造方法，其中该共形保护层的形成方法包括化学气相沉积法。

16.如权利要求12所述的图像感测元件的制造方法，于该基底上形成该内连线结构的步骤前，还包括于该基底上形成抗反射层，覆盖该晶体管与该光电二极管。

17.如权利要求12所述的图像感测元件的制造方法，其中该介电层包括由以四乙基正硅酸盐为反应气体源形成的磷硅玻璃层、未掺杂硅玻璃层、以四乙基正硅酸盐为反应气体源形成的材料层、以高密度等离子体法形成的材料层组成的一种组合叠层。