[发明专利]一种透光电极及其制备方法无效
| 申请号： | 200610075837.8 | 申请日： | 2006-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101060166A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 冉广照;赵伟强;秦国刚;徐万劲 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/44;H01L51/48;H01L33/00;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/28;H05B33/26;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透光电极及其制备方法。本发明所提供的透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。本发明用多晶硅薄膜作为透光电极可以兼顾透光率、稳定性和低成本等基本要素。原料可以是非晶硅，单晶硅尾料，也是硅的其他化合物；制备工艺可以用成本很低的磁控溅射或电子束蒸发等，真空在10－5托以上即可。与采用薄金属透光电极相比，透光率高且稳定。与ITO薄膜相比，材料和工艺成本均较低。本发明的透光电极在无机薄膜，有机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面也有广泛用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透光 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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