[发明专利]一种透光电极及其制备方法无效
申请号: | 200610075837.8 | 申请日: | 2006-04-20 |
公开(公告)号: | CN101060166A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 冉广照;赵伟强;秦国刚;徐万劲 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/44;H01L51/48;H01L33/00;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/28;H05B33/26;H05B33/10 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100871北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透光 电极 及其 制备 方法 | ||
1、一种透光电极,包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。
2、根据权利要求1所述的透光电极,其特征在于:所述多晶硅层厚度为10-100nm。
3、权利要求1所述透光电极的制备方法,在透明衬底上直接沉积上多晶硅层。
4、根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述直接沉积多晶硅层是先在衬底上沉积非晶硅层,然后,非晶硅层在900-1100℃下退火形成多晶硅层,得到所述透光电极。
5、根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述直接沉积多晶硅层是在衬底上沉积非晶硅层的同时,在900-1100℃下加热使衬底上沉积的非晶硅层退火形成多晶硅层,得到所述透光电极。
6、根据权利要求3或4或5所述的制备方法,其特征在于:所述多晶硅层厚度为10-100nm。
7、权利要求1所述透光电极的制备方法,是在透明衬底上沉积非晶硅层,然后在非晶硅层上沉积Ni层或Al层,接着在450-650℃下退火20min-48h形成多晶硅层,最后清洗去Ni层或Al层,得到所述透光电极。
8、根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述非晶硅层厚度为10-100nm;所述Ni层或Al层的厚度为1-10nm。
9、根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:清洗采用盐酸或硝酸溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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