[发明专利]一种透光电极及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610075837.8 申请日: 2006-04-20
公开(公告)号: CN101060166A 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 冉广照;赵伟强;秦国刚;徐万劲 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L51/44;H01L51/48;H01L33/00;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/28;H05B33/26;H05B33/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 关畅
地址: 100871北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 透光 电极 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种透光电极,包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。

2、根据权利要求1所述的透光电极,其特征在于:所述多晶硅层厚度为10-100nm。

3、权利要求1所述透光电极的制备方法,在透明衬底上直接沉积上多晶硅层。

4、根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述直接沉积多晶硅层是先在衬底上沉积非晶硅层,然后,非晶硅层在900-1100℃下退火形成多晶硅层,得到所述透光电极。

5、根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述直接沉积多晶硅层是在衬底上沉积非晶硅层的同时,在900-1100℃下加热使衬底上沉积的非晶硅层退火形成多晶硅层,得到所述透光电极。

6、根据权利要求3或4或5所述的制备方法,其特征在于:所述多晶硅层厚度为10-100nm。

7、权利要求1所述透光电极的制备方法,是在透明衬底上沉积非晶硅层,然后在非晶硅层上沉积Ni层或Al层,接着在450-650℃下退火20min-48h形成多晶硅层,最后清洗去Ni层或Al层,得到所述透光电极。

8、根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:所述非晶硅层厚度为10-100nm;所述Ni层或Al层的厚度为1-10nm。

9、根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:清洗采用盐酸或硝酸溶液。

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