[发明专利]低阻抗隧道磁阻效应元件及其制造和测试方法及测试设备有效
| 申请号： | 200610072053.X | 申请日： | 2006-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1848245A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 猿木俊司;稻毛健治;桑岛哲哉;清野浩;田上胜通;福田一正;河野雅秀 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有充分减小元件阻抗和充分限制爆音噪声的TMR(隧道磁阻)效应元件，其包括主要由包含大量电荷位置的金属氧化物构成的隧道阻挡层。该电荷位置的密度n和该电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系：0＜(nS1－1－nS2－1)－1·(μ0－μ)·(nμ)－1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 隧道 磁阻 效应 元件 及其 制造 测试 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻效应元件，包括：一隧道阻挡层，其主要由金属氧化物构成；以及一两个铁磁体层，其堆叠在一起以便将所述隧道阻挡层夹在中间；所述隧道阻挡层包括大量电荷位置；并且所述隧道阻挡层中的所述大量电荷位置的密度n和由所述大量电荷位置所捕获的电子的迁移率μ满足关系： 0＜(nS1-1-nS2-1)-1·(μ0-μ)·(nμ)-1＜0.2，其中nS1和nS2分别是在读取信号期间当元件阻抗为最小时的隧道电子的密度和当元件阻抗为最大时的隧道电子的密度，并且μ0是电子在未被捕获时的迁移率。
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