[发明专利]用于半导体晶圆的材料去除加工的方法有效

专利信息
申请号: 200610071810.1 申请日: 2006-03-16
公开(公告)号: CN1833815A 公开(公告)日: 2006-09-20
发明(设计)人: 亚历山大·海尔迈尔;罗伯特·德雷克斯勒;安东·胡贝尔;罗伯特·魏斯 申请(专利权)人: 硅电子股份公司
主分类号: B24B7/16 分类号: B24B7/16;H01L21/304
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王琼
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法,其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮相互独立地旋转,该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置,并且以这样的方式定位,即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围,该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动,结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行的轴线旋转时,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进,于是半导体晶圆的表面被研磨,去除一定量的材料后,磨轮以回退速率移回,其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。
搜索关键词: 用于 半导体 材料 去除 加工 方法
【主权项】:
1.一种用于半导体晶圆的材料去除加工的方法,其中固定在晶圆保持器上的半导体晶圆以及位于其对面的磨轮互相独立地旋转,该磨轮相对于半导体晶圆横向偏置地设置,并且以这样的方式定位,即使得半导体晶圆的轴向中心进入磨轮的工作范围,该磨轮以进给速率朝着半导体晶圆的方向移动,结果在半导体晶圆以及磨轮围绕平行轴线旋转时,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进,于是半导体晶圆的表面被研磨,在去除一定量的材料后,磨轮以回退速率后移,其中在半导体晶圆旋转一圈的过程中,磨轮以及半导体晶圆朝着彼此推进的距离为0.03至0.5微米。
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