[发明专利]导热性能提高的组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610064726.7 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101150038A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | K·富杰穆拉;A·米雅哈拉;T·希古奇 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于调节加热对象温度并支撑加热对象的组件，加热对象例如是半导体基板或者金属/陶瓷模件或者需要温度调节例如排气或者退火的其它工艺。在一个实施例中，该组件包含用于支撑加热对象的加热对象支撑体；用于将对象加热至至少300℃温度的陶瓷加热元件；设置在该基板支撑体和陶瓷加热层之间的第一导热层；设置在该陶瓷加热层下面的第二层。加热组件中的第一层和第二层具有小于5GPa的弹性模量，用于偏压陶瓷加热层而不会引起对于陶瓷层的破坏，同时还能给基板提供均匀和优良的加热。 | ||
| 搜索关键词： | 导热 性能 提高 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在处理工艺室中调节加热对象的温度和支撑加热对象的组件，该组件包括：具有顶部表面和底部表面的对象支撑元件，顶部表面用于支撑加热对象；用于调节基板温度的温度调节设备，该温度调节设备具有顶部表面和底部表面；设置在基底支撑体和温度调节设备之间的第一层，该第一层偏压在该温度调节设备的顶部表面上，该第一层包含在平行于温度调节设备的平面上导热率至少为20W/mK并且弹性模量小于1GPa的材料；设置在该温度调节设备下面的第二层，该第二层偏压在该温度调节设备的底部表面上，并且该第二层包含弹性模量小于1GPa的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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