[发明专利]低温多晶硅薄膜制造方法有效
| 申请号： | 200610063347.6 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101168474A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C30B28/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜制造方法，其包括下列步骤：a.提供一衬底，在该衬底上形成一非晶硅薄膜；b.提供一准分子激光发生器，其射出一面光源脉冲激光束，该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，该照射区域处于熔融状态；c.该准分子激光发生器移动一小距离，使该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜上形成另一照射区域，该两照射区域间形成一间隔区域；d.重复步骤c，在该非晶硅薄膜上形成多个照射区域和多个间隔区域。此方法能节省照射时间，可增大所形成的低温多晶硅薄膜的晶粒尺寸，提高该低温多晶硅薄膜的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜制造方法，其包括下列步骤：a.提供一衬底，在该衬底上形成一非晶硅薄膜；b.提供一准分子激光发生器，其射出一面光源脉冲激光束，该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，该照射区域处于熔融状态；c.该准分子激光发生器移动一小距离，使该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜上形成另一照射区域，该两照射区域间形成一间隔区域；d.重复步骤c，在该非晶硅薄膜上形成多个照射区域和多个间隔区域。
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