[发明专利]低温多晶硅薄膜制造方法有效
| 申请号： | 200610063347.6 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101168474A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C30B28/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜制造方法，其包括下列步骤：
a.提供一衬底，在该衬底上形成一非晶硅薄膜；
b.提供一准分子激光发生器，其射出一面光源脉冲激光束，该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，该照射区域处于熔融状态；
c.该准分子激光发生器移动一小距离，使该面光源脉冲激光束照射该非晶硅薄膜上形成另一照射区域，该两照射区域间形成一间隔区域；
d.重复步骤c，在该非晶硅薄膜上形成多个照射区域和多个间隔区域。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：步骤b中该准分子激光发生器包括一步进马达，该步进马达控制该准分子激光发生器移动。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：步骤b中该准分子激光发生器的激光口呈一矩形状。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：步骤b中该面光源脉冲激光束长度为370mm。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：步骤b中该面光源脉冲激光束宽度为0.4um。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：步骤b中该照射区域呈一矩形状。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：步骤b中该两相邻照射区域平行排布。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：步骤c中该间隔区域宽度小于该照射区域宽度的五分之一。
9.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：对该衬底施加一介于300℃～400℃间的温度。
10.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于：该非晶硅薄膜采用真空蒸镀、溅射、低压化学气相沉积或等离子化学气相沉积方法中的任意一种制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司，未经群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610063347.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适合于批量测试涤纶工业丝干热收缩率的方法
- 下一篇：一种钳式牙线器
