[发明专利]一种稳定生长大面积金刚石膜的热丝阵列电极系统无效
申请号: | 200610039087.9 | 申请日: | 2006-03-27 |
公开(公告)号: | CN1831187A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 相炳坤;左敦稳;黎向锋;徐锋;卢文壮;闫静 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/44 |
代理公司: | 南京苏高专利事务所 | 代理人: | 阙如生 |
地址: | 210016*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种稳定生长大面积金刚石膜的热丝阵列电极系统,属热丝阵列电极装置领域。它由一个固定电极系统和一个依靠弹簧、导轨使热丝阵列保持平直的移动电极系统组成。两个电极系统的钼电极都是分别由上、下钼电极及铜管组成的,它们分别夹紧热丝阵列两端。另外,在固定电极系统和移动电极系统的钼电极附近都设有起冷却作用的导水管。其中移动电极系统中的导水管设计成螺旋状,以便上端可以随滑块移动。由于水冷作用,使得热丝阵列及钼电极附近附着物不易脱落。并且使得热丝阵列与钼电极电接触良好、平直、不易断丝、以保障稳定生长大面积高质量金刚石膜。如果在两个上钼电极相对的表面上开有浅槽,对提高两个上钼电极生长的含碳膜附着力效果更好。 | ||
搜索关键词: | 一种 稳定 生长 大面积 金刚石 阵列 电极 系统 | ||
【主权项】:
1、一种稳定生长大面积金刚石膜的热丝阵列电极系统,包括左钼电极(1)、右钼电极(2)、左支撑板(12)、右支撑板(22)及热丝阵列(3),其特征在于:(1)、左钼电极(1)由左上电极(14)和左下电极(13)组成,左下电极(13)上表面水平嵌有与热丝阵列(3)垂直的,且有一部分露出其上表面的小铜管(15),左上电极(14)和左下电极(13)紧密接触,通过小铜管(15)将热丝阵列(3)中的每根热丝左端卡死;左钼电极(1)固定在左支撑板(12)的右端;左支撑板(12)的左端固定在冷却电极柱(11)和冷却电极柱(17)上借以被支撑,左支撑板(12)靠近左钼电极(1)附近有一通孔,该通孔将导水管(16)和导水管(18)导通;(2)、右钼电极(2)由右上电极(24)和右下电极(23)组成,右下电极(23)上表面水平嵌有与热丝阵列(3)垂直的,且有一部分露出其上表面的小铜管(25),右上电极(24)和右下电极(23)紧密接触,通过小铜管(25)将热丝阵列(3)中的每根热丝右端卡死;右支撑板(22)的右端固定在冷却电极柱(21)和冷却电极柱(29)上借以被支撑,右支撑板(22)上表面左端附近固定一导轨(27),导轨运动方向与热丝方向一致,右钼电极固定在与导轨(27)相配合的滑块(26)上,滑块(26)右端通过弹簧(32)与右支撑板(22)上表面右端附近固定的支柱(31)相连,滑块(26)上靠近右钼电极(2)附近有一通孔,该通孔将螺旋导水管(28)和螺旋导水管(30)导通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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