[发明专利]MOS电容测试结构及失效点定位方法有效
| 申请号： | 200610029919.9 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123245A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 孙艳辉;郭廓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R31/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种MOS电容失效点定位方法，包括：形成测试MOS电容；在测试MOS电容上方沉积介质层及金属层，获得MOS电容测试结构；对所述MOS电容测试结构进行测试，获得失效点位置信息。所述在测试MOS电容上方沉积金属层的方法包括在测试MOS电容上方沉积第一辅助金属层及第二辅助金属层或在测试MOS电容上方沉积具有规则图形的金属层。利用双层金属线形成的网格或单层金属层内规则图形作为光学检测图像中的坐标，可提供准确的失效点位置信息；且双层金属线或单层金属层内规则图形的制作工艺简单，无需单独增加生产步骤或引入新材料，既不会增加生产成本也不会对最终获得的器件的性能产生不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容 测试 结构 失效 定位 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS电容测试结构，包括一测试MOS电容，所述测试MOS电容包括顺次相接的半导体衬底、氧化层和栅极，其特征在于：在所述测试MOS电容上方顺次沉积有第一层间介质层、第一辅助金属层、第二层间介质层及第二辅助金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610029919.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
