[发明专利]MOS电容测试结构及失效点定位方法

权利要求书

1.一种MOS电容测试结构，包括一测试MOS电容，所述测试MOS电容包括顺次相接的半导体衬底、氧化层和栅极，其特征在于：在所述测试MOS电容上方顺次沉积有第一层间介质层、第一辅助金属层、第二层间介质层及第二辅助金属层。

2.根据权利要求1所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述测试MOS电容上方第一层间介质层、第一辅助金属层、第二层间介质层及第二辅助金属层与正常产品同时形成且制作工艺相同。

3.根据权利要求2所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述测试MOS电容上方第一层间介质层及第二层间介质层材料均包括二氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃等介质材料中的一种或其任意组合。

4.根据权利要求2所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述测试MOS电容上方第一辅助金属层及第二辅助金属层材料均包括铝、铜或镍等金属材料中的一种。

5.根据权利要求4所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述第一辅助金属层及第二辅助金属层内分别包括复数条第一层辅助金属线及第二层辅助金属线。

6.根据权利要求5所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述复数条第一层辅助金属线及第二层辅助金属线间形成空间垂直结构。

7.一种MOS电容测试结构，包括一测试MOS电容，所述测试MOS电容包括顺次相接的半导体衬底、氧化层及栅极，其特征在于：在所述测试MOS电容上方顺次沉积有层间介质层及辅助金属层。

8.根据权利要求7所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述测试MOS电容上方层间介质层及辅助金属层与正常产品同时形成且制作工艺相同。

9.根据权利要求8所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述测试MOS电容上方介质层材料包括二氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃等材料中的一种或其任意组合。

10.根据权利要求8所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述测试MOS电容上方辅助金属层材料包括铝、铜或镍等材料中的一种。

11.根据权利要求10所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述辅助金属层刻蚀有规则图形。

12.根据权利要求11所述的MOS电容测试结构，其特征在于：所述刻蚀辅助金属层材料获得的规则图形为方形、圆形、环形或框形等图形中的一种。

13.一种MOS电容失效点定位方法，包括：

形成测试MOS电容；

在测试MOS电容上方沉积介质层及金属层，获得MOS电容测试结构；

对所述MOS电容测试结构进行测试，获得失效点位置信息。

14.根据权利要求13所述的定位方法，其特征在于：所述在测试MOS电容上方沉积金属层的方法包括在测试MOS电容上方沉积第一辅助金属层及第二辅助金属层。

15.根据权利要求14所述的定位方法，其特征在于：所述第一辅助金属层及第二辅助金属层内分别包括复数条第一层辅助金属线及第二层辅助金属线。

16.根据权利要求15所述的定位方法，其特征在于：所述复数条第一层辅助金属线及第二层辅助金属线间形成空间垂直结构。

17.根据权利要求13所述的定位方法，其特征在于：所述在测试MOS电容上方沉积辅助金属层的方法包括在测试MOS电容上方沉积具有规则图形的辅助金属层。

18.根据权利要求17所述的定位方法，其特征在于：所述刻蚀辅助金属层材料获得的规则图形为方形、圆形、环形或框形等图形中的一种。

19.根据权利要求17所述的定位方法，其特征在于：所述测试MOS电容上方辅助金属层材料均包括铝、铜或镍等金属材料中的一种。

20.根据权利要求13所述的定位方法，其特征在于：对于具有不同掺杂类型的栅极和半导体衬底的测试MOS电容，可采用EMMI测试或OBIRCH测试检测MOS电容测试结构中的失效点。

21.根据权利要求13所述的定位方法，其特征在于：对于具有相同掺杂类型的栅极和半导体衬底的测试MOS电容，只采用OBIRCH测试检测MOS电容测试结构中的失效点。