[发明专利]一种集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用有效
| 申请号： | 200610026523.9 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1866007A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李昕欣;李鹏;左国民;王跃林;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N33/48 | 分类号： | G01N33/48;G01N13/10;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用，其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体，在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器，压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层，其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力，引起悬臂梁弯曲，进而产生弯曲应力，该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测，并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构，本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高，结构简单、制作简便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 二氧化硅 悬臂梁 微量 检测 传感器 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种集成压阻二氧化硅悬臂梁检测传感器，其特征在于采用绝缘体上的硅片的中间二氧化硅埋层作为微悬臂梁的主体结构，埋成上面的单晶硅作为微悬臂梁上的压敏电阻元件，并通过氧化工艺将单晶硅压阻敏感电阻四周用氧化硅绝缘层包覆；在敏感悬臂梁表面淀积贵金属层，其上自组装生长选择性识别的单分子层敏感膜；压阻元件的两个引出段分别位于微悬臂梁根部以外的衬底处，敏感悬臂梁和参考悬臂梁上的压阻元件具有相同特性，它们互为邻边和两个在同一衬底上的压阻元件，构成集成在衬底上的惠斯通电桥回路
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610026523.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种从西瓜皮中提取瓜氨酸的方法
- 下一篇：载体带
