[发明专利]半导体器件的制造方法和用于该方法的掩膜无效
| 申请号： | 200610025423.4 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101051620A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;邹陆军;常建光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，在衬底上确定存储单元区和周边电路区，仅在周边电路区曝光和蚀刻形成浅沟槽结构，化学气相沉积高致密的氧化硅，进行氧化硅的反向蚀刻，在存储单元区的氧化硅层形成网格状伪沟槽结构，之后实施化学机械研磨达到平整的表面。本发明还相应公开了一种用于形成伪沟槽结构的掩膜，所述掩膜图形为网格状图形，其网格宽度能够进行相应的调整以达到和周边电路区的浅沟槽结构相似的图形密度。本发明在研磨存储单元区和周边电路区表面时，不会出现周边电路区的氧化层已经被研磨掉而在存储单元区的氧化层还出现氧化物残留的现象，从而提高了晶片表面的平坦一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 用于 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，在衬底表面淀积绝缘层；在所述绝缘层表面确定第一区域和第二区域；在所述第一区域形成浅沟槽结构；在所述第一区域和第二区域上淀积介电层；刻蚀所述第一区域和第二区域上的介电层；研磨所述介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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