[发明专利]高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法有效
| 申请号： | 200610024146.5 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1810719A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 曾宇平;丁书强;江东亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B38/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以高纯度、低介电常数的二氧化硅结合的Si3N4多孔陶瓷及制备方法，其特征在于石墨为造孔剂、以外加或氮化硅颗粒表面氧化生成的二氧化硅为结合相的氮化硅多孔陶瓷利用外加和氮化硅颗粒表面氧化生成的二氧化硅在高温下的烧结把氮化硅颗粒结合起来，利用粉料颗粒堆积成孔或造孔剂氧化烧除成孔，从而得到二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷。Si3N4∶SiO2∶石墨＝0～100∶0～30∶0～25(重量比)，加入酚醛树脂和乙醇，混合后球磨、烘干、研磨、过筛、干压成型，然后在空气中烧成，得到二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷。所得多孔陶瓷的抗弯强度可达137MPa，总孔隙率10～60％，常温介电常数2～7(1GHz)，可用于常温和高温环境下使用的天线罩、催化剂载体等材料。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 介电常数 二氧化硅 结合 氮化 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷，其特征在于以Si3N4为基体，以外加SiO2和Si3N4颗粒表面氧化生成的SiO2作为结合相将Si3N4颗粒结合起来，石墨为造孔剂，得到的多孔陶瓷总孔隙率为10～60％；所述的Si3N4∶SiO2∶石墨的重量比为50～100∶0～30∶0～25。
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