[发明专利]高强度、低介电常数的二氧化硅结合的氮化硅多孔陶瓷及制备方法有效
| 申请号： | 200610024146.5 | 申请日： | 2006-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1810719A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 曾宇平;丁书强;江东亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B38/00;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强度 介电常数 二氧化硅 结合 氮化 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【说明书】：
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