[发明专利]互补结构微图案化制作倒梯形结构的方法有效

专利信息
申请号: 200610016995.6 申请日: 2006-07-07
公开(公告)号: CN1877453A 公开(公告)日: 2006-12-13
发明(设计)人: 韩艳春;邢汝博;于新红 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H05B33/00;H01L21/00
代理公司: 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人: 马守忠
地址: 130022吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明属于互补结构微图案化加工方法。首先利用毛细微模塑在基底表面制作具有正梯形横截面的微结构。以该结构作为支撑,在其表面涂敷另外一层薄膜。然后选用能溶解毛细微模塑制作的微结构,但是不溶解其表面薄膜的溶剂将微结构溶解,并带动其表面的薄膜一起剥落,从而在基底表面留下具有倒梯形横截面的微结构。该结构可以用于有机平板显示中有机半导体层及电极层的分离。与已有技术相比,本发明具有设备和工艺简单,原理上可以制作多种材料的倒梯形结构的特点。
搜索关键词: 互补 结构 图案 制作 梯形 方法
【主权项】:
1、互补结构微图案化制作倒梯形结构的方法,其特征在于,步骤和条件如下:1)、选择表面图形横截面为正梯形结构的聚二甲基硅氧烷软模板(2),将聚二甲基硅氧烷软模板(2)放置到目标基底(1)上,聚二甲基硅氧烷软模板(2)和目标基底(1)形成毛细沟道(3),将质量浓度为10-30%的聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液加到毛细沟道(3)端口处,待聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液在毛细力的作用下流进毛细沟道(3)后,将聚二甲基硅氧烷软模板(2)和目标基底(1)一起放置在30-80℃干燥箱中使聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液干燥;2)、将聚二甲基硅氧烷软模板(2)从干燥后的目标基底(1)剥离,在具有聚乙烯基吡咯烷酮(4)图案的目标基底(1)上涂敷与聚乙烯基吡咯烷酮微结构的最大高度相当厚度的光刻胶薄膜(5),然后将光刻胶薄膜(5)烘干;3)、将步骤2)处理后得到的目标基底(1)放置在水中,聚乙烯基吡咯烷酮(4)溶解,并带动涂敷在其表面的光刻胶薄膜(5)剥落,将经过以上处理后的目标基底(1)干燥,目标基底(1)上得到光刻胶的倒梯形结构(6)。
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