[发明专利]一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法

摘要

本发明提供了一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：首先将硅片用金刚石刀裁剪成小片，放到培养皿中；取纯锌粉和氯化锰粉末以1∶1至1∶3的重量比混合；在管式炉中反应，得到硅片上沉积上一层浅黄色的产物；用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米线。本发明的优点在于：用这种制备方法所做出的一维掺锰氧化锌纳米线的直径在50nm，表面平滑，而且产量比较高，表现出良好的磁学性能。

主权项

1、一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法，其特征在于：工艺步骤为：a、首先将硅片用金刚石刀裁剪成小片，放到培养皿中，在培养中倒入纯度为99.5％的酒精，以完全浸没硅片为准，浸泡10～15分钟后将硅片拿出，在空气中风干；b、取99.9％纯锌粉和99.9％氯化锰粉末以1∶1～1∶3的重量比混合；混合粉末在研钵中研磨，达到均匀混合，作为原料备用；c、将管式炉温度上升到500-550℃，并在整个操作中持续保持这个温度，当管式炉温度达到500-550℃后，在管式炉中石英管的一端接入氩气保护，氩气的流量控制在80-120sccm范围内；d、在瓷舟的中部位置放入步骤b中准备好的原料，平铺在瓷舟的底部，厚度不高于瓷舟高度的1/3，然后，将硅片的正面倒放在原料的正上方；e、通入保护气氛，在确保炉温恒定500-550℃，保护气氛的流量恒定80-120sccm范围内的情况下，从石英管的另一端口，把瓷舟平稳的放入石英管的中心加热区，进行反应，150-170分钟后取出瓷舟，得到硅片上沉积上一层浅黄色的产物；f、用扫描电子显微镜观察硅片上沉积的为纳米线。