[发明专利]一种低温制备掺锰氧化锌纳米线稀磁半导体的方法无效
| 申请号： | 200610011356.0 | 申请日： | 2006-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1810649A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张跃;张晓梅;顾有松;黄运华;齐俊杰;廖庆亮 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 氧化锌 纳米 线稀磁 半导体 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610011356.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：防治龋病的蜂房药物及其提取方法
- 下一篇：一种超分子结构纳米反应器制备方法
