[发明专利]一种光开关的设计及制作工艺有效
| 申请号： | 200610002666.6 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101008694A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 董立军;陈大鹏;欧易;景玉鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/35 | 分类号： | G02B6/35;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光纤通讯和微细加工技术领域，特别是一种光开关的设计及制作工艺。a.用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面淀积低应力氮化硅厚度；b.正面光刻氮化硅悬臂梁图形；c.RIE反应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形；d.背面光刻出腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；e.RIE反应离子刻蚀形成腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；f.涂胶光刻并电子束蒸发金薄膜；g.显影剥离形成金电极；h.KOH溶液在80摄氏度下腐蚀8小时形成氮化硅悬臂梁和光纤沟槽；i.光刻，电子束蒸发剥离形成下极板；j.键和两片硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开关 设计 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种光开关的设计及制作工艺，其步骤如下：a用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面淀积低应力氮化硅厚度；b正面光刻氮化硅悬臂梁图形；cRIE反应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形；d背面光刻出腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；eRIE反应离子刻蚀形成腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；f涂胶光刻并电子束蒸发金薄膜；g显影剥离形成金电极；hKOH溶液在80摄氏度下腐蚀8小时形成氮化硅悬臂梁和光纤沟槽；i光刻，电子束蒸发剥离形成下极板；j键和两片硅片。
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