[发明专利]一种提高半导体发光二极管光提取效率的表面钝化方法无效
| 申请号： | 200610001061.5 | 申请日： | 2006-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1822403A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;达小丽;郭霞;高国 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光二极管表面钝化方法，适于多种波长的LED。现用在LED上的钝化层是SiO2和SiNx，不能很好改善LED光特性。本发明步骤：已经制备好N电极(5)和P电极(2)的LED样品放入到PECVD设备的腔室；N2预热：使用流量为400～1000sccm的N2预热5～20分钟；等离子体处理：等离子体的射频功率为10～30W，N2为400～1000sccm，启辉5至15分钟；在LED的出光面制备SiOxNy增透膜：通入硅烷，氮气，一氧化二氮的混合气或者硅烷，氨气，一氧化二氮混合气，使用高、低频源交替的方法用PECVD生长钝化层的光学厚度为LED发射波长四分之一的奇数倍，折射率为P型半导体3折射率的开方；光刻腐蚀去掉出光面电极上的SiOxNy。本发明的钝化膜黏附性好、致密度高、均匀性好，能极大提高LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体 发光二极管 提取 效率 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高半导体发光二极管光提取效率的表面钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将已经制备好N电极(5)和P电极(2)的LED样品放入到等离子增强化学气相沉积PECVD设备的腔室；2)N2预热：使用流量为400～1000sccm的N2预热5～20分钟；3)等离子体处理：等离子体的射频功率为10～30W，N2为400～1000sccm，启辉5至15分钟；4)在LED的出光面制备SiOxNy增透膜：通入硅烷，氮气，一氧化二氮的混合气或者硅烷，氨气，一氧化二氮混合气，用13.56MHz的高频源和50～460kHz低频源交替的方法用PECVD生长钝化层，该钝化层的光学厚度为LED发射波长四分之一的奇数倍，折射率为P型半导体(3)折射率的开方；5)使用光刻腐蚀的方法去掉出光面电极上的增透膜。
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