[发明专利]具有提高的载流子迁移率的半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有提高的载流子迁移率的半导体结构。该半导体结构包括具有不同结晶取向的至少两个平面表面的混合取向半导体衬底，以及位于不同结晶取向的平面表面的每个上的至少一个CMOS器件，其中每个CMOS器件具有应力沟道。本发明还提供了制造该半导体结构的方法。总体上说，本发明的方法包括以下步骤：提供具有不同结晶取向的至少两个平面表面的混合取向衬底，以及在不同结晶取向的所述平面表面的每个上形成至少一个CMOS器件，其中每个CMOS器件具有应力沟道。

主权项

1.一种具有提高的载流子迁移率的半导体结构，包括：混合取向半导体衬底，具有不同结晶取向的至少两个平面表面，以及至少一个CMOS器件，位于不同结晶取向的所述平面表面的每个上，其中每个CMOS器件具有应力沟道。