[发明专利]次谐波激励的混频器有效
| 申请号： | 200580052118.8 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101313465A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | H·雅各布森;M·鲍 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/12 | 分类号： | H03D7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;王忠忠 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括晶体管配置和晶体管端子的次谐波激励的变频混频器装置(10i)，其中，所述晶体管端子用于本机振荡器(1O)信号的加入、射频(RF)信号的加入和中频(IF)信号的取出。所述晶体管配置包含至少一个NMOS晶体管(2i)和至少一个PMOS晶体管(1i)，所述至少一个NMOS晶体管(2i)的漏极与所述至少一个PMOS晶体管(1i)的漏极互连，其中，所述至少一个PMOS晶体管(1i)的栅极与所述至少一个NMOS晶体管(2i)的栅极互连。 | ||
| 搜索关键词： | 谐波 激励 混频器 | ||
【主权项】：
1.一种次谐波激励的变频混频器装置(101；102；...；109；1010)，包括晶体管配置和用于加入本机振荡器(LO)信号、加入/取出射频(RF)信号和取出/加入中频(IF)信号的若干晶体管端子，其特征在于，所述晶体管配置包括至少一个NMOS晶体管(21；22，...；29；210)和至少一个PMOS晶体管(11；12，...；19；110)，所述至少一个NMOS晶体管(21；22，...；29；210)的漏极与所述至少一个PMOS晶体管(11；12，...；19；110)的漏极互连，并且所述至少一个PMOS晶体管(11；12，...；19；110)的栅极与所述至少一个NMOS晶体管(21；22，...；29；210)的栅极互连。
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