[发明专利]次谐波激励的混频器

权利要求书

1.一种次谐波激励的变频混频器装置(10₁；10₂；...；10₉；10₁₀)，包括 晶体管配置和用于加入本机振荡器(LO)信号、加入/取出射频(RF) 信号和取出/加入中频(IF)信号的若干晶体管端子，所述晶体管配置 包括至少一个NMOS晶体管(2₁；2₂，...；2₉；2₁₀)和至少一个PMOS晶体管 (1₁；1₂，...；1₉；1₁₀)，所述至少一个NMOS晶体管(2₁；2₂，...；2₉；2₁₀)的漏极与 所述至少一个PMOS晶体管(1₁；1₂，...；1₉；1₁₀)的漏极互连，并且所述至少 一个PMOS晶体管(1₁；1₂，...；1₉；1₁₀)的栅极与所述至少一个NMOS晶体 管(2₁；2₂，...；2₉；2₁₀)的栅极互连，其特征在于，

所述PMOS晶体管的源极与所述NMOS晶体管的源极互连，所 述晶体管配置中包含三个单独的晶体管端子：栅极端子、源极端子和 漏极端子，这些端子适合于分别作为LO信号、RF信号和IF信号中 的各信号的独立端口。

2.如权利要求1所述的混频器装置(10₁；...；10₉；)，其特征在于，

所述混频器装置是无源的，即所述NMOS和PMOS晶体管 (2₁；2₂，...；2₉；1₁；1₂，...；1₉)的源极是未偏置的，或是设有这样的偏置元件， 它们相等地偏置所述NMOS和PMOS晶体管(2₁；2₂，...；2₉；1₁；1₂，...；1₉)的 所述源极或使得在各PMOS和NMOS晶体管的所述源极和漏极之间 无DC电压差。

3.如权利要求1所述的混频器装置(10₁₀)，其特征在于，

所述混频器装置是有源的。

4.如权利要求3所述的混频器装置(10₁₀)，其特征在于，

设有用于独立地偏置所述PMOS(1₁₀)和NMOS(2₁₀)晶体管的栅极 的偏置元件。

5.如以上权利要求中任一项所述的混频器装置 (10₁；10₂；10₃；10₄；10₇；10₈；10₁₀)，其特征在于，

所述混频器装置适合于用作下变频混频器，并且适合于在所述互 连的漏极处形成的、用作IF端口的所述晶体管端子处取出IF信号。

6.如权利要求5所述的混频器装置(10₁；10₃；10₁₀)，其特征在于，

所述晶体管配置(1₁，2₁，1₃，2₃；1₁₀，2₁₀)的所述源极端子适合于用作加 入LO信号的LO信号端口，并且所述栅极端子适合于用作RF信号端 口。