[发明专利]光电二极管、固体拍摄装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200580051461.0 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101253635A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 片山雅也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电二极管，形成在硅衬底上，其特征在于，具有：受光区域，其形成在所述硅衬底表面，并由形成pn结合的第一导电型的扩散区域构成，中间区域，其以位于所述受光区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，接触区域，其以位于所述中间区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，密封层，其形成在所述硅衬底表面的所述中间区域外侧部分，并由第二导电型的扩散区域构成，电极，其形成在所述硅衬底表面，并与所述接触区域接触；所述密封层与构成所述中间区域的扩散区域的侧端部相对向。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 固体 拍摄 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，形成在硅衬底上，其特征在于，具有：受光区域，其形成在所述硅衬底表面，并由形成pn结合的第一导电型的扩散区域构成，中间区域，其以位于所述受光区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，接触区域，其以位于所述中间区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，密封层，其形成在所述硅衬底表面的所述中间区域外侧部分，并由第二导电型的扩散区域构成，电极，其形成在所述硅衬底表面，并与所述接触区域接触；所述密封层与构成所述中间区域的扩散区域的侧端部相对向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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