[发明专利]光电二极管、固体拍摄装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电二极管，形成在硅衬底上，其特征在于，具有：

受光区域，其形成在所述硅衬底表面，并由形成pn结合的第一导电型的扩散区域构成，

中间区域，其以位于所述受光区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，

接触区域，其以位于所述中间区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，

密封层，其形成在所述硅衬底表面的所述中间区域外侧部分，并由第二导电型的扩散区域构成，

电极，其形成在所述硅衬底表面，并与所述接触区域接触；

所述密封层与构成所述中间区域的扩散区域的侧端部相对向。

2.根据权利要求1所记载的光电二极管，其特征在于，所述密封层与所述侧端部接合。

3.根据权利要求1所记载的光电二极管，其特征在于，所述中间区域具有比所述受光区域更高的杂质浓度，所述接触区域具有比所述中间区域更高的杂质浓度。

4.根据权利要求1所记载的光电二极管，其特征在于，所述受光区域在其下面形成所述pn结合，而且在与所述密封层之间也形成所述pn结合。

5.根据权利要求1所记载的光电二极管，其特征在于，还包括形成在所述硅衬底上的绝缘膜，在所述绝缘膜中，以与所述接触区域匹配的方式形成有接触孔，所述电极由导电插件构成，所述导电插件通过所述接触孔与所述接触区域接触。

6.一种固体拍摄装置，形成在硅衬底上，其特征在于，

所述光电二极管具有：

受光区域，其形成在所述硅衬底表面，并由形成pn结合的第一导电型的扩散区域构成，

中间区域，其以位于所述受光区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，

接触区域，其以位于所述中间区域的方式形成在所述硅衬底表面，并由所述第一导电型的扩散区域构成，

密封层，其形成在所述硅衬底表面的所述中间区域外侧部分，并由第二导电型的扩散区域构成，

电极，其形成在所述硅衬底表面，并与所述接触区域接触；

所述密封层与构成所述中间区域的扩散区域的侧端部相对向；

在所述硅衬底上，集成有CMOS电路。

7.一种光电二极管的制造方法，用于在硅衬底上制造光电二极管，其特征在于，包括：

在所述硅衬底上所划分的第一元件区域，形成第一导电型的扩散区域而作为受光区域的工序；

在所述硅衬底的表面，对应于所述受光区域，形成第二导电型的扩散区域而作为密封层的工序；

在所述硅衬底的表面，对应于所述受光区域，以与所述密封层的一部分重叠的方式，形成所述第一导电型的扩散区域而作为中间区域的工序；

在所述硅衬底上形成层间绝缘膜的工序；

在所述层间绝缘膜上，对应于所述中间区域的一部分，形成通孔的工序；

在所述硅衬底上，将所述层间绝缘膜作为掩模，通过所述通孔导入所述第一导电型的杂志元素，由此在所述中间区域的所述硅衬底的表面，形成由第一导电型的扩散区域构成的接触层的工序；

利用导电材料填充所述通孔，由此形成与所述接触层接触的电极的工序。

8.根据权利要求7所记载的固体拍摄元件的制造方法，用于在硅衬底上制造固体拍摄元件，其特征在于，包括：

在所述硅衬底上所划分的第一元件区域，形成第一导电型的扩散区域而作为受光区域的工序，

在所述硅衬底的表面，对应于所述受光区域，形成第二导电型的扩散区域而作为密封层的工序，

在所述硅衬底的表面，对应于所述受光区域，以与所述密封层的一部分重叠的方式，形成所述第一导电型的扩散区域而作为中间区域的工序，

在所述硅衬底上的第二元件区域形成半导体元件的工序，

在所述硅衬底上，以覆盖所述半导体元件的方式形成层间绝缘膜的工序，

在所述层间绝缘膜上，对应于所述中间区域的一部分，形成通孔的工序，

在所述硅衬底上，将所述层间绝缘膜作为掩模，通过所述通孔导入所述第一导电型的杂志元素，由此在所述中间区域的所述硅衬底的表面，形成由第一导电型的扩散区域构成的接触层的工序，

利用导电材料填充所述通孔，由此形成与所述接触层接触的电极的工序；

以使所述层间绝缘膜覆盖所述半导体元件的方式，执行形成所述层间绝缘膜的工序。