[发明专利]用于在高纵横比空间中进行化学气相沉积的方法有效
| 申请号: | 200580050010.5 | 申请日: | 2005-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN101194351A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
| 发明(设计)人: | 谢亚宏 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号: | H01L21/36 | 分类号: | H01L21/36;H01L21/20 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明披露了一种将保形膜沉积到高纵横比空间中的方法,包括在沉积之前在该空间内部形成气体前体的梯度的步骤。该梯度可以例如通过降低沉积室内的压力或通过该沉积室的部分抽空来形成。然后衬底的温度被迅速升高,从而将前体物质优先地沉积在该高纵横比空间的封闭或“深的”部分内。该过程可被重复多个循环以完全地填充该空间。该过程使得高纵横比空间被填充,而不形成任何可能对所得装置的性能具有不利影响的空隙或孔眼。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 纵横 空间 进行 化学 沉积 方法 | ||
【主权项】:
1.一种将保形膜沉积到高纵横比空间中的方法,包括:a)将具有纵横比大于10的衬底保持在低于发生沉积的阈值以下的温度;b)将所述衬底暴露在气体前体中;c)降低所述衬底周围的压力;以及d)将所述衬底的温度迅速升高到所述阈值以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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