[发明专利]用于在高纵横比空间中进行化学气相沉积的方法

权利要求书

1.一种将保形膜沉积到高纵横比空间中的方法，包括：

a)将具有纵横比大于10的衬底保持在低于发生沉积的阈值以下的温度；

b)将所述衬底暴露在气体前体中；

c)降低所述衬底周围的压力；以及

d)将所述衬底的温度迅速升高到所述阈值以上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)至(d)被重复多次。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜包括金属膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜包括半导体膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜包括绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜的总厚度的范围为约0.1nm至约1μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述空间具有大于100的纵横比。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述空间具有大于1000的纵横比。

9.一种将保形膜沉积在高纵横比空间中的方法，包括：

a)将具有纵横比大于10的空间的衬底保持在低于发生化学气相沉积反应的阈值温度以下的温度；

b)将所述衬底暴露在气体前体中；

c)降低所述衬底周围的压力；

d)将所述衬底的温度升高到在所述空间内化学气相沉积膜的阈值温度以上；

e)将所述衬底的温度降低到用于所述化学气相沉积的阈值温度以下；

f)重复步骤(a)至(e)多次。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述膜包括金属膜。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述膜包括半导体膜。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述膜包括绝缘膜。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述膜的总厚度范围为约0.1nm至约1μm。

14.根据权利要求9所述的方法，其中在所述压力降到阈值之后，将所述温度降低到所述阈值以下。

15.根据权利要求9所述的方法，其中在预定时间段之后，将所述温度降低到所述阈值以下。

16.根据权利要求9所述的方法，其中在每一循环过程中沉积的所述膜的厚度的范围为约0.1nm至约3nm。

17.一种通过权利要求1所述的方法制造的半导体装置。

18.一种通过权利要求9所述的方法制造的半导体装置。

19.一种将保形膜沉积到高纵横比空间内的方法，包括：

a)将具有纵横比大于10的空间的衬底保持在低于发生沉积的阈值以下的温度；

b)将所述衬底暴露在气体前体中；

c)在所述空间内形成所述气体前体的梯度，其中所述空间的最深部分具有所述气体前体的最大浓度；以及

d)将所述衬底的温度迅速升高到所述阈值以上。