[发明专利]离子束利用的最优化

摘要

一种用于最优化离子注入的方法，其中通过离子束(110)在两维上扫描基片(105)。所述方法提供了包括如下各项中一个或多个的工艺配方：离子束电流，离子剂量，以及基片在慢扫描方向通过离子束的次数。基于所述工艺配方来确定离子束的剖面，并且确定离子束的尺寸。基于所要求的注入均匀性和工艺配方来选择在快扫描方向(142)上的多个不同扫描速度中的一个。基于如下各项中的一个或多个来控制工艺配方：所要求的均匀性，基片通过时间，所要求的最小离子束电流，以及一个或多个基片条件。基于注入的剂量来选择在慢扫描方向(144)上的多个速度中的一个。

主权项

1.一种在离子注入基片期间最优化离子束利用的方法，其中晶片在快扫描方向上和大体上正交的慢扫描方向上通过所述离子束，所述方法包括：为离子注入提供工艺配方，其中大体上确定所述离子束的剖面；提供一组性能判据，其中包括如下各项中的一个或多个：在整个基片上离子注入的所要求的最大不均匀性，所要求的基片通过量，最小离子束电流，及一个或多个所要求的基片条件；基于所确定的离子束剖面和所述性能判据组，选择基片在快扫描方向上的多个不同速度中的一个；以及基于所选的快扫描速度来控制所述工艺配方。