[发明专利]离子束利用的最优化

权利要求书

1.一种在离子注入基片期间最优化离子束利用的方法，其中晶片在快扫描方向上和大体上正交的慢扫描方向上通过所述离子束，所述方法包括：

为离子注入提供工艺配方，其中大体上确定所述离子束的剖面；

提供一组性能判据，其中包括如下各项中的一个或多个：在整个基片上离子注入的所要求的最大不均匀性，所要求的基片通过量，最小离子束电流，及一个或多个所要求的基片条件；

基于所确定的离子束剖面和所述性能判据组，选择基片在快扫描方向上的多个不同速度中的一个；以及

基于所选的快扫描速度来控制所述工艺配方。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述工艺配方包括如下各项中的一个或多个：所要求的离子束电流，所述离子束的尺寸，在慢扫描方向上通过所述离子束的次数，注入所述基片的所要求的离子剂量，以及基片在慢扫描方向上的速度。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：在控制所述工艺配方之后，至少部分基于与所述受控工艺配方和性能判断标准相关联的离子注入，选择快速方向上的多个不同速度中的另一个。

4.如权利要求1所述的方法，其中：所述一个或多个所要求的基片条件包括最高基片温度和最大基片动量这两者中的一个或多个。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述离子束剖面基于如下各项中的一个或多个来确定：经验数据和基于所述工艺配方的对所述离子束剖面的预测。

6.如权利要求1所述的方法，其中：在整个基片上，所述所要求的最大不均匀性具有大约百分之一的标准偏差。

7.如权利要求1所述的方法，其中：所述基片在快扫描方向上的往复频率在约1Hz和约15Hz之间，而所述基片在慢扫描方向上的往复频率在约0.05Hz和约0.2Hz之间。

8.如权利要求1所述的方法，还包括基于所述受控工艺配方、离子束剖面和所述性能判据组来控制所述快扫描速度。

9.一种在离子注入基片期间最优化离子束利用的方法，其中，所述基片在快扫描方向上和大体上正交的慢扫描方向上通过所述离子束，所述方法包括：

为离子注入提供工艺配方，所述工艺配方包括如下各项中的一个或多个：所述离子束的电流，离子的剂量，以及基片在慢扫描方向上通过所述离子束的次数；

基于所述工艺配方来得出所述离子束的剖面，其中确定所述离子束的尺寸；

至少部分基于所述离子注入的所要求的最大不均匀性和所述工艺配方，来选择基片在快扫描方向上的多个不同速度中的一个；

基于如下各项中的一个或多个来控制所述工艺配方：所要求的最大不均匀性，所述基片的通过时间，所要求的最小离子束电流，及一个或多个基片条件；以及

基于所述离子注入的剂量来选择在慢扫描方向上的多个速度中的一个。

10.如权利要求9所述的方法，还包括：在控制所述工艺配方之后，基于与所述受控工艺配方相关联的离子注入的均匀性，来选择在快扫描方向上的多个速度中的另一个。

11.如权利要求9所述的方法，其中：选择在快扫描方向上的多个速度中的一个还基于一个或多个所要求的基片条件。

12.如权利要求11所述的方法，其中：所述一个或多个基片条件包括最高基片温度和最大基片动量这两者中的一个或多个。

13.如权利要求9所述的方法，其中，所述离子束剖面基于如下各项中的一个或多个来确定：经验数据和基于所述工艺配方的对所述离子束剖面的预测。

14.如权利要求9所述的方法，其中：在整个基片上，所述所要求的最大不均匀性具有大约百分之一的标准偏差。

15.如权利要求9所述的方法，其中：所述基片在快扫描方向上的往复频率在约1Hz和约15Hz之间，而所述基片在慢扫描方向上的往复频率在约0.05Hz和约0.2Hz之间。