[发明专利]微电子中的铜电沉积有效
| 申请号： | 200580046448.6 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101099231A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 文森特·派纳卡西奥;林宣;保罗·菲格瑞;理查德·荷特比斯 | 申请（专利权）人： | 恩索恩公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁朝玉 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于将铜电镀到具有亚微米互连器件的半导体集成电路基板上的电镀方法和组合物。该组合物包含铜离子源和含有聚醚基团的抑制剂化合物。该方法包括通过超级填充速度下的快速自底向上沉积进行超级填充，使得由器件底部向器件顶部开口的垂直方向上的铜沉积显著地大于侧壁上的铜沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 中的 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种用于将铜电镀到具有平面镀面和亚微米互连器件的半导体集成电路基板上的组合物，其中通过将半导体集成电路基板浸入到电镀液中进行镀铜，该组合物包含：具有足量可以将铜电沉积到基板上和电互连器件内的的铜离子源；和含有键合到含氮物质上的环氧丙烷(PO)重复单元和环氧乙烷(EO)重复单元的组合的抑制剂化合物，其中PO∶EO为约1∶9至约9∶1，该抑制剂化合物的分子量为约1000至约30,000。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
