[发明专利]光刻胶和刻蚀残留物的低压去除有效
| 申请号： | 200580045692.0 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101095379A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 稻泽刚一郎;瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩;萩原正明;西村荣一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 刻蚀 残留物 低压 去除 | ||
【主权项】：
1.一种现场灰化方法，包括：引入包含含氧气体的处理气体；在等离子体处理室中生成等离子体；将衬底暴露于所述等离子体，所述衬底位于衬底夹持器的顶部；通过向所述衬底夹持器施加第一偏置来执行第一灰化步骤；以及通过向所述衬底夹持器施加第二偏置来执行第二灰化步骤，其中所述第二偏置大于所述第一偏置，并且所述第二灰化步骤中的室压强小于20mTorr。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580045692.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
