[发明专利]光刻胶和刻蚀残留物的低压去除

权利要求书

1.一种现场灰化方法，包括：

引入包含含氧气体的处理气体；

在等离子体处理室中生成等离子体；

将衬底暴露于所述等离子体，所述衬底位于衬底夹持器的顶部；

通过向所述衬底夹持器施加第一偏置来执行第一灰化步骤；以及

通过向所述衬底夹持器施加第二偏置来执行第二灰化步骤，其中所述第二偏置大于所述第一偏置，并且所述第二灰化步骤中的室压强小于20mTorr。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含氧气体包括O₂。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体还包括惰性气体。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述惰性气体包括稀有气体、N₂或其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一偏置在约0W和约100W之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一偏置基本等于零。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二偏置在约50W和约1000W之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤还包括在所述第二灰化步骤中采用与所述第一灰化步骤不同的室压强和处理气体流率中的至少一个。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一灰化步骤还包括：

检测从所述等离子体发射的光；以及

根据所述发射的光确定所述第一灰化步骤的状态。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述发射的光的检测提供了用于建立结束点的手段。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述发射的光来源于激发物质，并且代表关于所述第一灰化步骤的状态的信息。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述发射的光来源于CO和含氟物质中的至少一种。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述含氟物质是氟。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤还包括：

检测从所述等离子体发射的光；以及

根据所述发射的光确定所述第二灰化步骤的状态。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述发射的光来源于激发物质，并且代表关于所述第二灰化步骤的状态的信息。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述发射的光来源于CO和含氟物质中的至少一种。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述含氟物质是氟。

18.如权利要求1所述的方法，还包括：

检测从所述等离子体发射的光；以及

根据所述发射的光确定所述第一和第二灰化步骤的状态。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述发射的光来源于激发物质，并且代表关于所述第一和第二灰化步骤的状态的信息。

20.如权利要求18所述的方法，其中所述发射的光来源于CO和含氟物质中的至少一种。

21.如权利要求20所述的方法，其中所述含氟物质是氟。

22.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤的长度在所述第一灰化步骤长度的50％和200％之间。

23.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体的流率在约5sccm和1500sccm之间。

24.如权利要求1所述的方法，其中所述含氧气体的流率在约5sccm和500sccm之间。

25.如权利要求2所述的方法，其中O₂的流率在5sccm和500sccm之间。

26.如权利要求1所述的方法，其中所述第一灰化步骤中处理气体的流率在5sccm和1500sccm之间。

27.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤中处理气体的流率在5sccm和1500sccm之间。

28.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体的流率在所述第一和第二灰化步骤之间是不同的。