[发明专利]集成电路纳米管基衬底有效
| 申请号: | 200580045604.7 | 申请日: | 2005-11-04 |
| 公开(公告)号: | CN101095226A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
| 发明(设计)人: | 克里斯·怀兰德 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/538 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | 碳纳米管材料用于集成电路衬底中。按照示例实施方式,集成电路配置(100)包括其中具有碳纳米管结构(120)的衬底(110)。按照一种或多种不同的方式设置碳纳米管结构,以提供结构支撑和/或导热性。在一些例子中,碳纳米管结构被设置成为集成电路配置提供基本上全部的结构支撑。在其它例子中,碳纳米管结构被设置成用于在整个衬底上散热。在另外的其它例子中,碳纳米管结构被设置成用于从碳纳米管衬底的选定部分去除热量。 | ||
| 搜索关键词: | 集成电路 纳米 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路芯片配置(100),包括:具有厚度并且垂直于该厚度横向延伸的衬底(110);配置成用于支撑电路的上表面层(110);以及位于衬底中并且在上表面层下方的碳纳米管材料的支撑层(120),该支撑层被配置和设置成结构支撑该衬底和在上表面层处形成的集成电路。
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