[发明专利]集成电路纳米管基衬底

权利要求书

1.一种集成电路芯片配置(100)，包括：具有厚度并且垂直于该厚度横向延伸的衬底(110)；配置成用于支撑电路的上表面层(110)；以及位于衬底中并且在上表面层下方的碳纳米管材料的支撑层(120)，该支撑层被配置和设置成结构支撑该衬底和在上表面层处形成的集成电路。

2.根据权利要求1的配置，其中支撑层包括碳纳米管矩阵。

3.根据权利要求2的配置，其中碳纳米管矩阵包括基本上横跨全部衬底而延伸的许多碳纳米管。

4.根据权利要求1的配置，其中支撑层被配置和设置成经衬底散热。

5.根据权利要求1的配置，其中衬底包括上表面层。

6.根据权利要求1的配置，其中支撑层基本上横跨过整个衬底而延伸。

7.根据权利要求1的配置，其中碳纳米管材料的支撑层被配置和设置成用于耗散衬底中的热量。

8.根据权利要求7的配置，其中支撑层被配置和设置成用于从衬底中的电路去除热量。

9.根据权利要求7的配置，其中支撑层被配置和设置成用于从与衬底连接的电路去除热量。

10.根据权利要求1的配置，其中支撑层与衬底中的电路电绝缘。

11.根据权利要求1的配置，还包括：穿过支撑层的至少一部分而延伸的至少一个电路；以及被配置和设置成用于将支撑层中的碳纳米管与该至少一个电路电绝缘的绝缘材料。

12.根据权利要求1的配置，其中衬底包括被配置成用于引导热量离开衬底的选定部分的碳纳米管。

13.根据权利要求12的配置，其中碳纳米管具有长度大于宽度的大体管状结构，并且，其中所述碳纳米管被配置成沿其长度方向引导热量离开所述选定部分。

14.根据权利要求1的配置，其中碳纳米管材料的支撑层包括多个具有长度大于宽度的大体管状结构的碳纳米管，并且，其中碳纳米管被配置成使得碳纳米管的长度在压缩中提供对结构的基本支撑。

15.根据权利要求1的配置，还包括热沉，该热沉与碳纳米管材料的支撑层热连接，并且被配置成碳纳米管材料从衬底去除热量。

16.一种电路配置(400)，包括：具有厚度并且垂直于该厚度而横向延伸的衬底(410)；具有导电焊盘(450、451、451、453)的衬底的上表面区域(412)，所述导电焊盘(450、451、451、453)被配置和设置成用于连接到集成电路芯片；具有导电焊盘(454、455、456、457)的衬底的下表面区域(414)，所述导电焊盘(454、455、456、457)被配置和设置成用于连接到外部电路；导电互连系统(440、442、444、446)，在下表面上的导电焊盘和上表面上的导电焊盘之间延伸并连接二者，并且被配置和设置成可在导电焊盘之间传送信号；碳纳米管层(420、422、424、426、428)，在衬底中垂直位于上和下表面之间，并且跨越衬底的至少一部分横向延伸，该碳纳米管层包括碳纳米管，所述碳纳米管被配置和设置成用于以下作用之一：结构支撑衬底，以及传导衬底中的热量；具有互连(440、442、444、446)的导电互连系统，互连(440、442、444、446)穿过支撑层而延伸并与碳纳米管电绝缘。

17.根据权利要求16的配置，其中碳纳米管被配置和设置成用于从衬底的选定区域向外导热。

18.根据权利要求17的配置，其中碳纳米管被配置和设置成用于从穿过支撑层而延伸的互连向外导热。

19.根据权利要求16的配置，其中在互连穿过其而延伸的位置处，碳纳米管层包括绝缘材料，该绝缘材料被配置和设置成将碳纳米管与互连电绝缘。

20.根据权利要求16的配置，其中碳纳米管层被配置和设置成为衬底提供基本的结构支撑。

21.根据权利要求16的配置，其中碳纳米管层包括基本上整个衬底，并且，其中导电互连系统位于碳纳米管层中。