[发明专利]金属薄膜的形成方法和金属薄膜无效
| 申请号： | 200580042236.0 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101072898A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 厚木勉;郑久红;小田正明 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科;日本电材化成股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/08 | 分类号： | C23C24/08;B22F9/12;B22F9/24;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属薄膜的形成方法，在由选自Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru和Pt中的至少1种金属或这些金属中的2种以上组成的合金周围，附着有机物作为分散剂，在含有水、有机酸、或水和有机酸的气体氛围下烧制附着构成的金属纳米离子，得到金属薄膜。该金属薄膜具是低电阻的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属薄膜的形成方法，包括烧制金属纳米粒子的步骤，该金属纳米粒子由选自Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru和Pt中的至少1种金属或由这些金属中的至少2种以上组成的合金、以及附着在金属或合金周围作为分散剂的有机物组成，其特征是，在含有水、有机酸、或水和有机酸的气体氛围下进行所述的烧制。
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