[发明专利]金属薄膜的形成方法和金属薄膜无效

专利信息
申请号: 200580042236.0 申请日: 2005-12-15
公开(公告)号: CN101072898A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 厚木勉;郑久红;小田正明 申请(专利权)人: 株式会社爱发科;日本电材化成股份有限公司
主分类号: C23C24/08 分类号: C23C24/08;B22F9/12;B22F9/24;H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人: 齐永红
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 金属 薄膜 形成 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及使用金属纳米粒子形成金属薄膜的方法和金属薄膜。

背景技术

作为低温形成电极的方法,提出过使用金属胶体溶液形成导电性涂膜的方法(例如,参照特许文献1)。在该方法中,用喷涂方式将金属胶体溶液涂布于基材上,形成导电性涂膜,作为进行上述涂布的基材,在其表面形成喷涂用收容层,涂布后在100℃以下进行干燥。按照这种方法,在基材喷涂专用纸上形成涂膜干燥后的体积电阻率就变得低至4.5×10-6Ω·cm,而没有涂膜的普通复印纸上的表面电阻高达1.0×108Ω/□以上(以膜厚450nm换算比电阻,体积电阻率为4.5×107μΩ·cm以上),为了低电阻化,喷墨的收容层是必须的。

另外,金属纳米粒子的制造方法有还原法(例如,特愿2003-317161号)和气相蒸发法(例如,特许文献2)。

[特许文献1]特开2004-207558号公报(权利要求1,0049及0050段)

[特许文献2]特开2002-121606号公报(权利要求6)

在电工电子工业领域中使用的配线等薄膜的形成方法,近年来成膜温度向低温化发展。另外,用于涂布·干燥·烧制金属纳米粒子而成膜的基材,有玻璃、聚酰亚胺、PET薄膜、PEN薄膜、聚碳酸酯等各种材料,除这些基材外,最近,在玻璃上载附TFT(薄膜三极管)的基板也可适用金属纳米粒子,以满足成膜温度(烧制温度)低温化的要求。烧制温度取决于该基材的性质,要求低的情况下,烧制温度在200℃以下。

在这样的情况下,特别要求无高温热处理,低温烧制,而且尽可能减少涂布次数或成膜次数,以达到所希望的厚度的薄膜。为此要寻求使用金属浓度高的金属纳米粒子分散液,无需高温热处理,可以形成低电阻薄膜的方法。

过去,这样用途的金属纳米粒子成膜时,有以下问题:可以实现低电阻化但需要高温烧制;或可以低温处理但涂布次数将变多等。另外,为了减少涂布次数,用某些方法增加涂布液的固相浓度,但得到的液体不稳定,有发生2次凝聚、金属粒子沉降的问题。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述现有技术的问题,提供以下方法,使用金属纳米粒子,与在其表面上形成收容层的喷墨专用纸作基板不同,是在没有形成这种收容层的基板上,不用高温处理,形成导电性的金属薄膜;和提供金属薄膜。

本发明的金属薄膜的形成方法,包括烧制金属纳米粒子的步骤,该金属纳米粒子由选自Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru和Pt中的至少1种金属或由这些金属中的至少2种以上组成的合金、以及附着在金属或合金周围作为分散剂的有机物组成,其特征是,在含有水、有机酸、或水和有机酸的气体氛围下进行所述的烧制。

使用这样的烧制氛围,能够形成低电阻的金属薄膜。

上述有机酸,优选碳原子数4以下的饱和脂肪酸或不饱和脂肪酸。碳原子数大于4,即使烧制,电阻值也不降低,另外,烧制过程中还有产生令人非常不快气味的问题。

另外,本发明的金属薄膜,其特征在于按照上述金属薄膜形成方法而形成。

按照本发明可以得到以下效果,使用导电性的金属纳米粒子,与喷涂专用纸做基板不同,而是在表面没有形成收容层的基板上,在含有水、有机酸、或者是水和有机酸的气体氛围下,不用高温处理,在低温就可以形成低电阻的导电性金属薄膜。

附图说明

[图1]是在实施例2中制作的Ag薄膜的截面SEM照片。

具体实施方式

按照本发明,构成金属纳米粒子所使用的金属,如上所述,是选自由Ag、Au、Ni、Pd、Rh、Ru和Pt等导电金属组成的组中的至少1种金属、或由这些金属中的至少2种组成的合金,可以根据目的·用途作适当的选择。以下所称金属也包括合金。以上述金属构成的金属纳米粒子,在该金属的周围附着有作为分散剂的有机物。这里所谓“附着”是指有机物通过金属离子吸附在金属纳米粒子的表面。由此,有助于金属粒子稳定地分散在有机分散体中。

上述有机物选自脂肪酸类、胺类的至少1种。

该脂肪酸类,优选选自具有直链或支链结构、碳原子数6~22的饱和脂肪酸和不饱和脂肪酸中的至少1种脂肪酸。碳原子数小于6,不稳定,容易产生凝聚,而且限制金属浓度的提高;碳原子数大于22,在金属纳米粒子分散液的浓度高时,有分散液的黏度就上升,操作性稍有变差以及烧制后膜中容易碳残留,电阻率上升的问题。

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