[发明专利]在半导体衬底上制造外延层的方法及用这种方法制造的器件

摘要

本发明涉及外延层的制造，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上提供具有第一深度的Si－Ge层；向半导体衬底提供具有n型掺杂剂材料并且具有实质大于所述第一深度的第二深度的掺杂层；执行氧化步骤以形成二氧化硅层，使得在二氧化硅/硅界面处通过二氧化硅层将Ge原子和n型原子推入到半导体衬底中；其中，将n型原子比Ge原子推入更深地到半导体衬底中，导致具有减小的n型原子浓度的顶部层；去除二氧化硅层；在具有减小的向外扩散或自动掺杂的半导体衬底上生长硅外延层。

主权项

1.一种制造半导体产品的方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的至少一部分上提供Si-X层，所述Si-X层具有第一深度和表示预定原子种类的X；向所述半导体衬底的所述至少一部分提供具有n型掺杂剂材料并且具有实质大于所述第一深度的第二深度的掺杂层；执行氧化作用以在所述半导体衬底内部形成具有二氧化硅/硅界面的二氧化硅层，使得在所述二氧化硅/硅界面处通过所述二氧化硅层将X原子和n型原子推入到所述半导体衬底中，选择所述X原子使得它们在所述二氧化硅/硅界面处具有比所述n型原子更高的离析性质；去除所述二氧化硅层；在所述半导体衬底上生长硅外延层。