[发明专利]在半导体衬底上制造外延层的方法及用这种方法制造的器件

权利要求书

1.一种制造半导体产品的方法，包括步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的至少一部分上提供Si-X层，所述Si-X层具有厚度和表示预定原子种类的X；

向所述半导体衬底的所述至少一部分提供具有n型掺杂剂材料并且具有大于所述厚度的深度的掺杂层，在所述深度和所述厚度之间的位置形成掩埋层；

执行氧化作用以在所述半导体衬底内部形成具有二氧化硅/硅界面的二氧化硅层，使得在所述二氧化硅/硅界面处通过所述二氧化硅层将X原子和n型原子推入到所述半导体衬底中，选择所述X原子使得它们在所述二氧化硅/硅界面处具有比所述n型原子更高的离析性质；

去除所述二氧化硅层；

在所述半导体衬底上生长硅外延层。

2.一种制造硅半导体衬底的方法，包括步骤：

提供半导体衬底；

向所述半导体衬底的至少一部分提供具有n型掺杂剂材料并且具有深度的掺杂层；

在所述半导体衬底的所述至少一部分上提供Si-X层，具有小于所述深度的厚度，X表示预定的原子种类，在所述第一深度和所述厚度之间的位置形成掩埋层；

执行氧化动作以在所述半导体衬底内部形成具有二氧化硅/硅界面的二氧化硅层，使得在所述二氧化硅/硅界面处通过所述二氧化硅层将X原子和n型原子推入到所述半导体衬底中，选择所述X原子使得它们在所述二氧化硅/硅界面处具有比所述n型原子更高的离析性质；

去除所述二氧化硅层；

在所述半导体衬底上生长硅外延层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述X原子种类包括Ge。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述n型掺杂剂材料是As和P的至少一种。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，向所述半导体衬底的所述至少一部分提供掺杂层的步骤包括子步骤：

在所述半导体衬底的所述至少一部分上，提供预定厚度的绝缘层；

通过所述绝缘层执行所述n型掺杂剂材料的注入动作以产生所述掺杂层；

去除所述绝缘层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述绝缘层包括二氧化硅。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述Si-X层包括预定浓度的C。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述外延层包括比所述掩埋层中的掺杂剂浓度低的浓度的n型掺杂剂。

9.根据权利要求1或2所述的方法，包括步骤：向所述半导体衬底提供至少一个其它部分，该部分具有p型掺杂层和所述掩埋层的顶部上的p型外延层。

10.一种半导体器件，通过根据任一前述权利要求所述的方法制造，其中在硅外延层中形成双极型晶体管。