[发明专利]多盘膜前驱体蒸发系统和结合了该系统的薄膜沉积系统有效
申请号: | 200580040914.X | 申请日: | 2005-11-29 |
公开(公告)号: | CN101065516A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 铃木健二;以马利·P·盖德帝;格利特·J·莱乌辛克;原正道;黑岩大祐 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李剑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40、140)相耦合的多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’),其用于通过增大固态前驱体(350)的暴露表面积来增大沉积速率。多盘固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)包括基座盘(330)以及一个或多个上部盘(340)。每个盘(330、340)被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外,每个盘(330、340)被配置为在加热膜前驱体(350)的同时提供膜前驱体(350)上方的载气的高传导率流动。例如,载气在膜前驱体(350)上方向内流动,并且垂直地向上经过可堆叠盘(340)内部的流动通道(318),并经过固态前驱体蒸发系统(50、150、300、300’)中的出口(322)。 | ||
搜索关键词: | 多盘膜 前驱 蒸发 系统 结合 薄膜 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种被配置为耦合到薄膜沉积系统的膜前驱体蒸发系统,包括:包括外壁和底部的容器,所述容器被配置为耦合到加热器并被加热到升高的温度;被配置为可密封地耦合到所述容器的盖,所述盖包括被配置为可密封地耦合到所述薄膜沉积系统的出口;盘堆栈,包括:被配置为安放于所述容器的所述底部上的基座盘,所述基座盘具有被配置为保持所述基座盘上的所述膜前驱体的基座外壁和基座支撑边缘,和一个或多个上部盘,所述一个或多个上部盘包括被支撑在所述基座支撑边缘上的第一上部盘和被配置为位于所述第一上部盘或前一额外上部盘上的一个或多个可选的额外上部盘,所述一个或多个上部盘中的每一个具有上部外壁和比所述上部外壁短的内壁,所述上部外壁具有用于支撑所述可选的额外上部盘中的一个的上部支撑边缘,所述上部外壁和内壁被配置为在其间保持所述膜前驱体,并且所述内壁限定了所述容器中的中央流动通道;所述盘堆栈的所述基座外壁和上部外壁与所述容器的所述外壁之间的环形空间,所述环形空间被配置为耦合到载气供应系统,以向所述环形空间提供载气;以及位于所述盘堆栈的所述基座外壁和上部外壁中并且耦合到所述环形空间的一个或多个开口,其被配置为使载气从所述环形空间经过所述膜前驱体上方朝向所述中央流动通道流动,并经过所述盖中的所述出口与膜前驱体一同排出所述载气。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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