[发明专利]多盘膜前驱体蒸发系统和结合了该系统的薄膜沉积系统有效
申请号: | 200580040914.X | 申请日: | 2005-11-29 |
公开(公告)号: | CN101065516A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 铃木健二;以马利·P·盖德帝;格利特·J·莱乌辛克;原正道;黑岩大祐 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李剑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多盘膜 前驱 蒸发 系统 结合 薄膜 沉积 | ||
1.一种被配置为耦合到薄膜沉积系统的膜前驱体蒸发系统,包括:
包括外壁和底部的容器,所述容器被配置为耦合到加热器并被加热到升高的温度;
被配置为可密封地耦合到所述容器的盖,所述盖包括被配置为可密封地耦合到所述薄膜沉积系统的出口;
盘堆栈,包括:
被配置为安放于所述容器的所述底部上的基座盘,所述基座盘具有被配置为保持所述基座盘上的所述膜前驱体的基座外壁和基座支撑边缘,和
被支撑在所述基座支撑边缘上的第一上部盘,所述第一上部盘具有上部外壁和比所述上部外壁短的内壁,所述上部外壁具有用于支撑一个额外上部盘的上部支撑边缘,所述上部外壁和内壁被配置为在其间保持所述膜前驱体,并且所述内壁限定了所述容器中的中央流动通道;
所述盘堆栈的所述基座外壁和上部外壁与所述容器的所述外壁之间的环形空间,所述环形空间被配置为耦合到载气供应系统,以向所述环形空间提供载气;
位于所述盘堆栈的所述基座盘的所述基座外壁中并且耦合到所述环形空间的一个或多个开口,所述一个或多个开口被配置为使载气从所述环形空间经过所述膜前驱体上方朝向所述中央流动通道流动,并经过所述盖中的所述出口与膜前驱体一同排出所述载气;以及
位于所述盘堆栈的所述第一上部盘的所述上部外壁中并且耦合到所述环形空间的一个或多个开口,所述一个或多个开口被配置为使载气从所述环形空间经过所述膜前驱体上方朝向所述中央流动通道流动,并经过所述盖中的所述出口与膜前驱体一同排出所述载气。
2.如权利要求1所述的膜前驱体蒸发系统,
其中所述盘堆栈还包括配置为依次堆叠在所述第一上部盘上的一个或多个额外上部盘,所述一个或多个额外上部盘中的每一个具有上部外壁和比所述上部外壁短的内壁,所述上部外壁具有用于支撑另一额外上部盘的上部支撑边缘,所述上部外壁和内壁被配置为在其间保持所述膜前驱体,并且所述内壁限定了所述容器中的中央流动通道,
其中所述一个或多个额外上部盘中的每一个具有位于所述上部盘的所述上部外壁中并且耦合到所述环形空间的一个或多个开口,所述一个或多个开口被配置为使载气从所述环形空间经过所述膜前驱体上方朝向所述中央流动通道流动,并经过所述盖中的所述出口与膜前驱体一同排出所述载气。
3.如权利要求1或2所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述膜前驱体是金属前驱体。
4.如权利要求1或2所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述膜前驱体是固态前驱体。
5.如权利要求4所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述固态前驱体包括固态粉末形式。
6.如权利要求4所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述固态前驱体包括固态片形式。
7.如权利要求1或2所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述膜前驱体包括羰基金属。
8.如权利要求7所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述羰基金属包括W(CO)6、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6、Ru3(CO)12或Os3(CO)12。
9.如权利要求2所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述第一上部盘和所述一个或多个额外上部盘是用于堆叠在所述基座盘上以形成多件多盘堆栈的可分离、可堆叠盘。
10.如权利要求2所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述堆叠在所述基座盘上形成的盘堆栈是单一整体多盘结构,其中所述基座盘和所述上部盘是一体的。
11.如权利要求1或2所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述容器还包括一个或多个间隔器,所述一个或多个间隔器被配置为将所述基座盘的所述基座外壁和每一个所述上部盘的所述上部外壁与所述容器的所述外壁相分隔。
12.如权利要求1或2所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述容器具有圆柱形状。
13.如权利要求12所述的膜前驱体蒸发系统,其中所述容器的所述外壁的内直径范围从10cm到100cm。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的