[发明专利]用于合成氮化镓粉末的改进的系统和方法无效
| 申请号： | 200580040055.4 | 申请日： | 2005-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101065320A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | F·A·旁丝;R·加西亚;A·贝尔;A·C·托马斯;M·R·史蒂文思 | 申请（专利权）人： | 亚利桑那董事会代表亚利桑那州立大学行事的法人团体 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过在管式反应器中在受控的条件下结合高纯镓和高纯氨制备高质量GaN粉末的方法。在受控的条件下的氨和镓之间的反应制备了多孔镓熔体且至完全反应，产生具有化学计量比的氮浓度和六角形纤锌矿结构的高纯结晶GaN粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 合成 氮化 粉末 改进 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备氮化镓的方法，所述方法包含以下步骤：在氨流中对镓施加100℃和700℃之间的温度，以在镓中溶解氨；和然后将温度提高到1000℃和1200℃之间，使氨与镓反应制备多孔、晶体结构，该结构的特征在于：具有大的尺寸分布的六角柱状微晶，和具有小的尺寸分布的六角片晶，其中微晶和片晶都具有良好确定的纤锌矿晶体结构。
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