[发明专利]使用衬底倾斜的半导体掺杂无效
| 申请号： | 200580039980.5 | 申请日： | 2005-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN101061573A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | S·格尼姆;J·D·伯恩斯坦;L·S·罗伯特松;J·许;J·洛伊克 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于在衬底中注入掺杂剂的方法和一种利用此注入制造半导体器件的方法。用于注入掺杂剂的方法，除了其它步骤，包括：围绕相对于注入源(320)在第一方向的轴线倾斜位于注入台板(305)上或其上方的衬底(310)，并且在衬底(310)在第一方向倾斜的情况下，将注入剂量的一部分注入；此后，在与所述第一方向相反的第二方向倾斜所述衬底；以及在所述衬底(310)在所述第二方向倾斜的情况下，将注入剂量的另一部分注入。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 衬底 倾斜 半导体 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底中注入掺杂剂的方法，包含：围绕相对于注入源的轴线在第一方向以第一角度定位衬底；在所述衬底以所述第一角度定位的情况下，将注入剂量的一部分注入；围绕相对于所述注入源的所述轴线，在与所述第一方向相反的第二方向以第二角度定位所述衬底；和在所述衬底以所述第二角度定位的情况下，将所述注入剂量的另一部分注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580039980.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
