[发明专利]使用衬底倾斜的半导体掺杂

权利要求书

1.一种用于在衬底中注入掺杂剂的方法，包含：

围绕相对于注入源的轴线在第一方向以第一角度定位衬底；

在所述衬底以所述第一角度定位的情况下，将注入剂量的一部分注入；

围绕相对于所述注入源的所述轴线，在与所述第一方向相反的第二方向以第二角度定位所述衬底；和

在所述衬底以所述第二角度定位的情况下，将所述注入剂量的另一部分注入。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二角度与所述第一角度数值相等并且方向相反。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一角度与所述第二角度分隔约90度。

4.根据权利要求1-3中的任一权利要求所述的方法，其进一步包含：

围绕相对于所述注入源的所述轴线在所述第一方向再以第三角度定位所述衬底；

在所述衬底以所述第三角度定位的情况下，将所述注入剂量的第三部分注入；

围绕相对于所述注入源的所述轴线，在与所述第一方向相反的所述第二方向以第四角度定位所述衬底；和

在所述衬底以所述第四角度定位的情况下，将所述注入剂量的第四部分注入；

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第三和第四角度分别与所述第一和第二角度相同。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述第一、第二、第三和第四部分包含以相等的注入部分剂量、速率和时段注入。

7.根据权利要求1-6中的任一权利要求所述的方法，其中所述衬底位于台板上，并且定位步骤通过围绕所述轴线倾斜所述台板来完成。

8.一种用于制造半导体器件的方法，其包含通过使用如权利要求1-7中的任一权利要求的用于注入掺杂剂的所述方法来形成至少一种注入。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含在衬底的上方形成栅极结构，并且其中注入掺杂剂的所述方法用于MOS晶体管器件的源极区和漏极区的形成中的至少一部分。